карбід кремнію
Карбід кремнію (SiC) є новаторською сполукою кремнію та вуглецю, яка характеризується надзвичайною твердістю та винятковою теплопровідністю. Цей напівпровідниковий матеріал революціонізував різні галузі промисловості завдяки унікальному поєднанню електричних і фізичних властивостей. Маючи широку заборонену зону та здатність працювати при високих температурах, карбід кремнію дозволяє розробляти більш ефективні силові електронні пристрої. Матеріал виявляє виняткову хімічну інертність, що робить його ідеальним для застосування в екстремальних умовах. У сучасній електроніці SiC відіграє ключову роль у силових пристроях, виробництві світлодіодів та високотемпературних застосуваннях. Серед його переваг — висока напруженість пробою, відмінна теплопровідність та виняткова механічна міцність. Напівпровідниковій промисловості особливо цінує SiC за здатність витримувати високі густини потужності, зберігаючи ефективність при підвищених температурах. Цей матеріал став незамінним у силових агрегатах електромобілів, системах відновлюваної енергетики та промислових моторних приводах. Крім того, його зносостійкість і термічна стабільність роблять його цінним у різноманітних застосуваннях — від ріжучих інструментів до авіаційних та космічних компонентів. Подальший розвиток технологій SiC призвів до поліпшення виробничих процесів, що дало змогу отримувати кристали вищої якості та знизити витрати на виробництво.